对于不同的半导体工艺,微电路成像可以辅助对失效点的检测。
正向偏压和反向偏压的皮安培电流图。
正向偏压图显示出p型接触点有漏电现象 反向偏压图显示出n型接触点有漏电现象 。
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由IV曲线来确认上述皮安培电流图中的失效点
可以看出源极和栅极间有漏电。
扫描电容成像（SCM）
扫描电容成像可用于测量掺杂区差别，电荷捕获，内存单元电容以及一系列常规仪器所不可测试的故障种类。
