故障検出と解析のために、半導体デバイスの映像。
ピコカレントのフォワードとリバースのバイヤスモッド。
フォワードバイヤスのイメージはｐタイプノードの漏れを表示する。 リバースバイヤスのイメージはｎタイプノードの漏れを表示する 。
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ソースとゲートの漏れを表示する
ピコカレントイメージで表示するの漏れたｎタイプトランジスタをプロービング取ったのIVカーブ。
走査型容量顕微鏡サンプルイメージ
デバイスインプラントの異状やトラップ電荷やメモリーセルの静電容量など困難な測定ができる。
